服務(wù)熱線(xiàn)：15680235937
有關(guān)LED的體驗品質(zhì)的LED電源，如果制作得好的話(huà)，就可能造成對我們的工作產(chǎn)生一定的影響，那么電源制作過(guò)程中，我們應該注意點(diǎn)什么？今天，元宵燈會(huì )制作制作公司打算與大家分享。首先，對建議的降容的生活產(chǎn)生直接影響LED電流LED電流大小的幅度，所以盡量控制小點(diǎn)，尤其是如果冷卻效果不好LED，LED必須留有足夠的余量。二，芯片熱主要用于高壓內部電源調制器驅動(dòng)器芯片。如果IC的電流消耗為2mA，300V電壓在芯片上方施加，芯片的功率消耗是0.6W，當然會(huì )導致芯片的加熱。驅動(dòng)芯片*從驅動(dòng)電源的消耗電流MOS晶體管，一個(gè)簡(jiǎn)單的公式是I = CVF（考慮電阻有效電荷，實(shí)際= 2cvf，I，其中c是CGS電容器功率MOS晶體管，v是功率MOSFET時(shí)的柵極電壓，所以為了降低功耗該芯片的，必須想辦法降低C，v和f，如果c，v和f不能改變，那就想被分配到設備芯片的芯片的功耗以外的方式，注意自貢引入第三的附加的功率，功率管熱管的功率消耗被分成兩個(gè)部分，開(kāi)關(guān)損耗和傳導損耗要注意的是，特別是，多數場(chǎng)合電源的LED驅動(dòng)器應用中，損傷是遠遠大于所述開(kāi)關(guān)的導通損耗。CGD和CGS和驅動(dòng)能力òF上的芯片和開(kāi)關(guān)管的相關(guān)工作頻率和功率損耗，管加熱功率要解決可以從以下幾方面來(lái)解決：1、不片面根據導通的大小來(lái)選擇MOS功率晶體管電阻，由于電阻越小，電容越大CGS和CGD。 CGS為1N60大約是250pF的，CGS 2N60大約是350pF，CGS 5N60約為1200pF，太大的差別，當可選功率管，夠用就可以了。 2、其余的是驅動(dòng)能力的芯片頻率，頻率這里談話(huà)沖擊頻率也正比于傳導損耗，使得當加熱功率管，首先想到頻率選擇不是有點(diǎn)高。然而，注意，當頻率降低時(shí)，為了獲得相同的負載CApacity，峰值電流被綁定到或更大的電感變大，這可能會(huì )導致電感進(jìn)入飽和區域。如果電感飽和電流足夠大，considerThe CCM（連續電流模式）改變到DCM（不連續電流模式），從而需要增加的負載電容。